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    • 专利摘要:

    公开号:WO1980002891A1
    申请号:PCT/JP1980/000131
    申请日:1980-06-14
    公开日:1980-12-24
    发明作者:N Honda
    申请人:Fujitsu Ltd；N Honda；
    IPC主号:H01L23-00
    专利说明:
    [0001] 明 細
    [0002] 発明の名称 半導体装置 技術分野
    [0003] こ の発明は、 半導体テ ツ プの一面に形成された半 導体素子がハ° ッ ケ— ジ構成部材か ら放射される放射 線か ら遮へいされた構造を有す'る半導体装置に関す る 0 背景技術
    [0004] 一般に、 半導体装置は、 一面に半導体素子が形成 されたテ ツ プをセ ラ ミ ッ ク の よ う な絶緣材料ででき た担体の凹部に固設 し、 さ らに所定間隔をおい て 力 パ ーま たは蓋体で封止 してな るハ。 ッ ケ 一 ヅ構造を有 する 。 ハ。 ッ ケ一 ヅ構造内に封入される半導体素子が MOS デパ イ ス ゃ電荷耘送デパ イ ス の よ う な 问 、 ^ 積回路で構成される場合、 ハ。 ッ ケ ー ジ構成部材中に 痕跡量存在する ゥ ラ ニ ゥ ム ゃ 卜 リ ゥ ム の よ う な放射 性元素の放射性崩壊に よ り 放出される び線その他の 放射線の影響を受けて、 半導体素子に誤動作や特性 劣化を生 じ易い。 特に半導体素子表面への 鎵照射 は重要な障害と な る 。 それ故、 本発明の主要な 目 的は、 半導体チ ッ プの 一面に形成された半導体素子がパ ッ ケ ー ジ構成部材 か ら放射される 鏢その他の放射線か ら遮へいされ
    [0005] O PI
    [0006] く 。一 てな ] 、 誤動作や特性劣化を生 じない半導体装置を 提供するにある。
    [0007] 発明の開示
    [0008] 本発明の半導体装置は、 一面に半導体素子が形成 されたチ ッ プを有 し、 こ のチ ッ プは絶緣材料ででき た担体に形成された凹部に固設され、 さ らに所定間 隔を置いてカパ一ま たは蓋体で封止されている。 こ の半導体装置は、 そのチ ッ プが （ a ) チ ッ プの半導 体素子上に形成された、 耐熱性を有 し且つ実質的に 放射性元素を含ま るい絶縁体の層、 及び （ b ) 該絶 縁体の層上に形成された放射線遮へい金属層を有す る こ と を特徵 と している。
    [0009] 図面の簡単る説明
    [0010] 図面は本発明に係る半導体装置の一例を示す断面 図である 。
    [0011] 発明を実施するための最良の形態
    [0012] 本発明の半導体装置を添付図面に従つ て説明する 。 シ リ コ ー ン基板チ ッ プ 1 の片面には半導体素子 2 が 構成されている。 半導体素子 2 は MOS デ バ イ スゃ電 荷耘送デパ イ ス の よ う 集積回路力ゝ ら ¾ る 。 チ ッ プ 1 には、 その半導体素子 2 上に耐熱性を有 し且つ放 射性元素を実質的に含ま な い絶縁体の層 3 が形成さ れている。 耐熱性を有する絶緣体と しては ポ リ ィ ミ ド樹脂を使用する こ と が望ま しい。 こ の明細書に於 URE
    [0013] 〇、 ？ I一
    [0014] 、 V.'丄-; '。 いて使用する 「 実質的に放射性元素を含ま い 」 と い う 用語は、 絶縁体中に 線が検出され いか又は
    [0015] 0 線が粒子線量率 0. 1 p Zc^ ' h r . 以下、 好ま し く は
    [0016] 0. 0 1 p /m2 » r . 以下で検出されるに過 ぎるい こ と
    [0017] を意味する。 耐熱性絶縁体層 3 の厚さは 5 乃至 1 00 ミ ク ロ ン 、 特に 5 乃至 1 5 ミ ク ロ ン の範囲である こ と が好ま しい。
    [0018] さ らに、 チ ッ プ 1 は絶縁体層 3 上に形成された放
    [0019] 射線遮へい金属層 4 を有する。 放射線遮へい金属層
    [0020] 4 は金の よ う な化学的に安定な金属で構成する こ と
    [0021] ができ る。 放射線遮へい金属層 4 は、 例えば、 金メ
    [0022] ツ キ層の よ う な単一層であ っ て も よい し、 ま た例え
    [0023] ば、 ニ ッ ケ ル蒸着下塗層 と金メ ッ キ ト ッ プ層と の組
    [0024] 合わせま たはチ タ ン蒸着下塗層、 ニ ッ ケ ル蒸着中間
    [0025] 層 と金メ ツ キ ト ッ プ層 と の組み合わせの よ う る多層
    [0026] 構造であ っ て も よ い。 放射線遮へい金属層 4 の厚さ
    [0027] は好ま し く は 1 乃至 5 0 ミ ク 。 ン 、 よ ]9好ま し く は
    [0028] 5 乃至 1 0 ミ ク ロ ン の範囲である 。
    [0029] 耐熱性絶縁体層 3 は放射線遮へい金属層 4 と S i 02
    [0030] 膜を介して露出 して形成された半導体素子 2 を構成
    [0031] する MOS デパイ ス相互間の接続配線と の間の絶縁性
    [0032] を 保持する機能、 並びに放射緩を遮へいする機能を
    [0033] 兼儂 している。 シ リ コ ン基板チ ッ プ 1 上には例えば S i 02を介して
    [0034] ΟΜΡΙ ヽ
    [0035] 。 ノ ボ ン デ ィ ン グ ハ0 ッ ド 5 が配設され、 これ らハ0 ッ ド 5 は集積回路 2 の配線に接続してい る 。 こ の ンデ ィ ン グ ハ ° ッ ド 5 は集積回路 2 の配線を ン デ ィ ン ク， ヮ ィ ヤー 6 を'介してハ。 ッ ケー ジ の担体 7 に配設された 外部接続 リ 一 ド （ 図示せず ） に接続している 。
    [0036] 本発明の半導体装置は次の よ う に製作する こ とが でき る。 最初に、 片面に半導体素子 2 及び ン デ ィ ングハ。 ッ ド 5 が形成されたシ リ コ ン基板チ ッ プを調 製する 。 チ ッ プ 1 の片面全体に ボ リ イ ミ ド樹脂を コ — テ ィ ン グ し、 次いで ボ リ イ ミ ド コ 一 テ ィ ン グ層 3 を硬化する 。 その後 ポ リ イ ミ ド コ 一テ ィ ング層 3 上 に、 例えば、 蒸着ま たはメ ツ キに よ っ て厚さ数 ミ ク σ ンの金膜層 4 を形成する。 金膜層を形成 したチ ッ プはエ ッ チ ン ダ処理 して、 半導体素子 2 を覆 う領域 を残してその他の領域の金膜層を除去する 。 その後 残存金膜層 4 を マスク と して ポ リ ィ ミ ド コ 一テ ィ ン グ層を溶剤処理する こ と に よ ポ リ イ ミ ド コ 一テ ィ ン グ層 3 を部分的に除去する 。 こ の よ う に調製され た、 半導体素子 2 上に ポ リ ィ ミ ド コ 一テ ィ ンダ層 3 さ らに ボ リ イ ミ ド コ ー テ ィ ン グ層 3 上に金膜層 4 が' 形成されたシ リ コ ン基板チ ッ プ 1 は、 絶縁材料でで き た担侔 7 の凹部に予め置かれた、 例えば金ででき たプ リ フ ォ ー ム の上に載せる。 担体 7 を適当る温度 に加熱 して、 シ リ コ ン - 金共晶を形成せ しめ、 基板 チ ッ プを担体に結合せしめ る 。 ン デ ィ ン グ ワ イ ヤ 一 6 を通じてのハ° ッ ド 5 と リ ー ド と の接続形成並び に炉中での装置全体の封止は常法に従つ て行えばよ い 0
    [0037] 上述の放射線遮へい構造に よ っ て、 即ち、 シ リ コ ン基板上に順次形成された耐熱性を有 し実質的に放 射性元素を含ま い絶縁体層及び放射線遮へい金属 層に よ っ て、 半導体素子は担体や力パ ー も し く は蓋 体の よ う ¾ ハ° ッ ケ ー ジ搆成部材か ら放射される び線 その他の放射線か ら完全に遮へいされる 。 従って、 本発明の半導体装置に誤動作や特性劣化を生 じる こ と がない。
    [0038] ο:.ί ι
    权利要求:
    Claims 求 の 範 囲
    1. —面に半導体素子が形成されたチ ッ プを有し 該チ ッ プは絶縁材料ででき た担体に形成された凹部 に固設され且つ該チ ッ プが所定の間隔をおいてカバ —で封止されてる る半導体装置において、 （a) if 熱性 を有 しかつ粒子線量率が 0. 1 p /cm2 · h r . 以下であ る 絶縁体の層が上記チ ッ プの半導体素子上に形成され さ らに、 （b)該絶縁体層上に放射線遮へい金属層が形 成されてる る半導体装置における改良。
    2. 耐熱性絶縁体がポ リ イ ミ ド、樹脂であ る請求の 範囲第 1 項に記載の半導体装置。
    3. 放射線遮へい金属層が金で形成されている請 求の範囲第 1 項または第 2 項に記載の半導体装置。
    4. 耐熱性絶縁体の層が 5 乃至 1 0 0 ミ ク 。 ンの 厚さを有する請求の範囲第 1 項乃至第 2 項に記載の 半導体装置。
    5. 放射線遮へい金属層が 1 乃至 5 0 ミ ク α ン の 厚さを有する請求の範囲第 3 項に記載の半導体装置
    6. 耐熱性絶縁体の層及び放射線遮へい金属層が 半導体素子を 力 パーする領域に延在している請求の 範囲第 1 項に記載の半導体装置。
    Λ·Α·ΠΟ¾
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    引用文献:
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    DE2543968A1|1975-10-02|1977-04-07|Licentia Gmbh|Integrierte schaltungsanordnung|
    JPS5588356A|1978-12-27|1980-07-04|Hitachi Ltd|Semiconductor device|JPS5828860A|1981-08-12|1983-02-19|Nec Corp|Semiconductor device and manufacture thereof|
    FR2584863B1|1985-07-12|1988-10-21|Inf Milit Spatiale Aeronaut|Composant electronique durci vis-a-vis des radiations|
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    CN109475829A|2016-07-25|2019-03-15|柴田股份有限公司|气泡产生装置|
    法律状态:
    1980-12-24| AK| Designated states|Designated state(s): US |
    1980-12-24| AL| Designated countries for regional patents|Designated state(s): DE FR GB NL |
    1981-02-09| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1980901079 Country of ref document: EP |
    1981-06-10| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1980901079 Country of ref document: EP |
    1985-11-21| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1980901079 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP7528979A|JPS5712292B2|1979-06-15|1979-06-15||
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